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RS1E280GNTB  与  BSC025N03LS G  区别

型号 RS1E280GNTB BSC025N03LS G
唯样编号 A-RS1E280GNTB A-BSC025N03LS G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.6mΩ@28A,10V 2.1mΩ
上升时间 - 6.2ns
Qg-栅极电荷 - 74nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 55S
封装/外壳 8-PowerTDFN -
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 28A(Ta) 100A
配置 - Single
长度 - 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 6ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 15V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
高度 - 1.27mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),31W(Tc) 83W
典型关闭延迟时间 - 36ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
典型接通延迟时间 - 10ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥13.5207
100+ :  ¥7.815
1,250+ :  ¥4.9547
2,500+ :  ¥3.5822
暂无价格
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8-PowerTDFN

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1: ¥13.5207
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